在2026年SPIE光刻与图案化会议上，IBM研究院将发表系列相互关联的演讲，形成逻辑图案化未来的统路线图——从图像形成物理学到全流程模块能和器件电气结果。这些演讲将共同展示业界如何从研究阶段转向下代器件，并开始大规模生产。

在会议期间，IBM研究人员将发表几项新研究成果，共同展示数值孔径EUV、偏振控制、随机风险降低、下代掩膜和光刻胶等多种技术如何协同进半体制造的边界。这些突破将实现尺寸和边缘位置误差的缩放，同时保持对芯片可制造和总拥有成本的关注。

图案化和键解决案

IBM研究院图案化和键解决案经理Luciana Meli将在会议的图案化材料和工艺进展分会上发表主旨演讲，概述数值孔径EUV和其他分辨率增强技术如何创造要的设计余量，以继续缩放关键尺寸和边缘位置误差。她的结果表明在数值孔径制造准备面取得了明确进展，提供了将图案化和边缘位置误差控制扩展到2纳米节点以外所需的能力。IBM早在2021年就发布了全球款2纳米节点芯片。

Meli将在演讲中进步详述所涉及的技术和成本权衡，以及光刻路线图为满足未来缩放目标所需的相应调整。

光刻技术创新

IBM光刻研究员Martin Burkhardt也将在会议上发表演讲，概述业界如何通过将k?因子（技术分辨率限的表示）得低，并扩展低数值孔径和数值孔径EUV的实用，在EUV光刻中继续缩小器件尺寸和边缘位置误差。他将演示成像质量如何越来越受到偏振、衰减和偏差的影响，并表明横向电场或TE偏振照明在实现稳定、质量成像面具有强大的价值主张。

下代技术路线图

为了突破数值孔径EUV的限，业界须开始思考下个十年需要什么光刻技术。IBM杰出工程师Allen Gabor将发表下代路线图，涵盖工具概念、预测光刻胶指标和能够支持5纳米以下间距成像的大格式掩膜技术。这些进展通过连接光刻物理学、材料创新和可制造节点，在实验室研究和大规模生产下代器件之间架起桥梁。

器件缩放研究进展

另有三位研究人员将在会议上发表演讲，说明当前为器件缩放所做的工作：

栅图案化面，单次曝光EUV栅图案化正在接近基本限，因为随机噪声在节点动线宽粗糙度和局部关键尺寸均匀挑战。这些直接影响晶体管变异和能。IBM研究员Gopal Kenath将通过协同优化光源、光刻胶和掩膜，包括三束照明和下代材料，展示在50纳米以下间距可能大幅减少低频和整体粗糙度，破低数值孔径缩放关系并为未来栅缩放开辟新途径。

接触孔图案化面，IBM研究员Dario Goldfarb将量化0.55数值孔径EUV和0.33数值孔径EUV之间的实际能差异。使用化学放大光刻胶和金属氧化物光刻胶，该研究评估关键尺寸和间距缩放，以及包括掩膜误差增强因子、焦、局部关键尺寸均匀和随机缺陷在内的其他关注点，确立数值孔径何时以及如何为二维特征提供产量相关改进。

金属图案化和电气相关面，IBM研究员Chris Penny将比较用低数值孔径和数值孔径EUV图案化的镶嵌铜和减法钌流程。通过详细表征，该工作将提供图案化和集成选择的清晰对比评估，以交付满足下代能目标的保真互连。

生态系统作创新阿拉善盟pvc管粘接胶水厂家

IBM研究团队将在演讲中展示个集成的研发管道，将基础成像突破转化为集成就绪的工艺模块——终转化为器件能增益。从偏振工程成像的进展到数值孔径互连演示，每项贡献都加强了AI时代缩放的统路线图。

这16场技术演讲集体突出了IBM半体创新引擎的实力，涵盖逻辑光刻、封装和计量学。这些努力通过奥尔巴尼生态系统的作伙伴进步放大——包括TEL、Nova、Lam、ASML、Fractilia和布鲁克海文国实验室——他们的作加速了整个半体堆栈的进展，并加强了整个创新管道。

以下是IBM及作伙伴在今年会议上的完整演讲列表：

IBM光刻路线图：未来光刻工具和掩膜需求以及避随机缺陷的光刻胶要求

2026年2月24日，下午2-3点（太平洋标准时间）｜会议中心，大宴会厅220A

在线二次离子质谱对器件可靠和能的影响评估（与Nova联论文）

2026年2月25日，下午5-7点（太平洋标准时间）｜会议中心，大厅2

使用数值孔径EUV光刻探索接触孔图案化的限

2026年2月25日，下午2点（太平洋标准时间）｜会议中心，万能胶厂家210C室

使用偏振控制的EUV低k?光刻前景

2026年2月23日，上午11点-中午12点（太平洋标准时间）｜会议中心，大宴会厅220A

通过光源-光刻胶-掩膜协同优化缩放单次曝光EUV栅线边缘粗糙度

2026年2月24日，上午9-10点（太平洋标准时间）｜会议中心，大宴会厅220A

减轻EUV光刻胶CD-SAXS计量中的X射线诱损伤（与布鲁克海文国实验室联论文）

2026年2月26日阿拉善盟pvc管粘接胶水厂家，下午4-5点（太平洋标准时间）｜会议中心，210A室

越缩放：AI时代的数值孔径EUV、边缘位置误差和随机控制

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2026年2月23日，上午10-11点（太平洋标准时间）｜会议中心，210C室

评估三维工程干光刻胶膜在0.33数值孔径和数值孔径EUV图案化中的能（与Lam Research联）

2026年2月24日，下午2点（太平洋标准时间）｜会议中心，210C室

数值孔径EUV在节点减法互连图案化中的评估

2026年2月26日，上午11点（太平洋标准时间）｜会议中心，大宴会厅220C

受晶圆形貌和掩膜版缝影响的下代封装光刻工艺优化

2026年2月23日，下午2-3点（太平洋标准时间）｜会议中心，大宴会厅220A

EUV紧间距应用的光酸产生剂设计考虑（与Qnity联）

2026年2月24日，上午9点（太平洋标准时间）｜会议中心，210C室

负调剂金属氧化物光刻胶的优化显影法和蚀刻协同优化能（与TEL联）

2026年2月23日，下午1-2点（太平洋标准时间）｜会议中心，210C室

图案化结构上区域选择沉积工艺的在线XPS计量（与Nova联）

2026年2月25日，上午9-10点（太平洋标准时间）｜会议中心，210A室

结插值参考计量和OCD机器学习的混键铜凹陷在线监测（与Nova联）

2026年2月24日，上午10-11点（太平洋标准时间）｜会议中心，210A室

测量接触孔分布用于预测缺失接触孔率（与Fractilia联）

2026年2月26日，下午4点（太平洋标准时间）｜会议中心，210A室

用于半体制造和全集成目标计量的在线XPS（与Nova联）

2026年2月23日，下午4点（太平洋标准时间）｜会议中心，210A室

纳米片晶体管器件优化计量的基于模型的拉曼模拟（与Nova联）

2026年2月24日，上午8-9点（太平洋标准时间）｜会议中心，210A室

封装的光刻创新：实现大场集成的可扩展（与ASML联）

2026年2月23日，下午3点（太平洋标准时间）｜会议中心，大宴会厅220A

Q&A

Q1：数值孔径EUV技术相比传统EUV有什么优势？

A：数值孔径EUV技术相比0.33数值孔径的传统EUV，能够显著关键尺寸和间距缩放能力，提供好的焦、局部关键尺寸均匀，并减少随机缺陷。这项技术为2纳米以下节点的制造提供了要的设计余量，能够实现精度的图案化和边缘位置误差控制。

Q2：IBM如何解决EUV光刻中的随机噪声问题？

A：IBM通过多种式解决随机噪声问题：协同优化光源、光刻胶和掩膜系统，采用三束照明和下代材料技术，使用TE偏振照明实现稳定质量成像。这些技术能够大幅减少50纳米以下间距的低频和整体粗糙度，破传统缩放关系限制。

Q3：这些光刻技术突破对AI芯片发展有什么意义？

A：这些技术突破为AI时代的芯片发展提供了关键支撑。通过实现小的器件尺寸和精确的边缘位置误差控制阿拉善盟pvc管粘接胶水厂家，能够制造出能强的AI芯片。IBM展示的集成研发管道将基础成像突破转化为实际的器件能增益，为AI计需求提供了要的半体制造能力。